國產(chǎn)新秀6英寸SiC襯底項目即將投產(chǎn)！

國產(chǎn)新秀6英寸SiC襯底項目即將投產(chǎn)！

據(jù)太原日報報道，山西天成半導(dǎo)體材料有限公司（以下簡稱：天成半導(dǎo)體）的6英寸SiC襯底項目即將投產(chǎn)，預(yù)計今年內(nèi)實現(xiàn)6英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化。

后起之秀，SiC襯底技術(shù)能力不容小覷

天成半導(dǎo)體成立于2021年8月，主要從事SiC襯底的研發(fā)生產(chǎn)及相關(guān)生長設(shè)備的制造。成立后短短半年的時間里，天成半導(dǎo)體就攻克了技術(shù)難關(guān)，實現(xiàn)SiC襯底從4英寸到6英寸的升級，并即將實現(xiàn)6英寸SiC襯底的產(chǎn)業(yè)化。

業(yè)界皆知，目前國內(nèi)能夠量產(chǎn)6英寸SiC襯底的企業(yè)仍屈指可數(shù)，從這個角度來看，天成半導(dǎo)體是妥妥的后起之秀，實力已不容小覷。

據(jù)悉，經(jīng)山西省政府2021年11月審批，天成半導(dǎo)體SiC項目一期共投資3000萬元。天成半導(dǎo)體僅用了半年時間就完成了場地建設(shè)、設(shè)備進(jìn)廠及6英寸SiC晶錠的中試投產(chǎn)。

目前，天成半導(dǎo)體正在籌備建設(shè)二期項目，包括廠房擴建、設(shè)備擴充以及構(gòu)建一條全自動線切割打磨拋光清洗加工線。項目完成后，6英寸導(dǎo)電型和半絕緣型SiC襯底的年產(chǎn)量將達(dá)到20000片，預(yù)計在2022年內(nèi)實現(xiàn)6英寸SiC襯底產(chǎn)業(yè)化。Source：拍信網(wǎng)

新勢力崛起，國產(chǎn)SiC發(fā)展啟動“快進(jìn)”模式

放眼全球市場，4英寸SiC襯底已開始退居“二線”，并將于未來3至5年漸漸退出市場，逐步取而代之的是6英寸SiC襯底。目前，Wolfspeed、II-VI、羅姆等海外巨頭已普遍實現(xiàn)6英寸SiC襯底的批量生產(chǎn)及銷售

根據(jù)TrendForce集邦咨詢分析，現(xiàn)階段用于功率器件的N型SiC襯底仍以6英寸為主，盡管Wolfspeed等國際IDM廠商8英寸SiC襯底的推進(jìn)速度及效果超乎預(yù)期，但6英寸襯底轉(zhuǎn)向8英寸襯底非短時間內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)，因此預(yù)計6英寸SiC襯底在未來5-6年內(nèi)都將是市場的主流。

終端需求方面，作為SiC材料現(xiàn)階段最大的驅(qū)動力，電動汽車市場（以主逆變器為主）未來對SiC產(chǎn)品的需求將逐年增長。TrendForce集邦咨詢預(yù)估，隨著電動汽車滲透率的不斷提升，以及整車架構(gòu)逐漸朝向800V等更高壓的方向發(fā)展，2025年電動汽車市場對6英寸SiC晶圓的需求量將達(dá)169萬片。

需求日益強勁而供給卻稍顯吃力，在此背景下，全球市場除了漸趨白熱化的技術(shù)之爭以外，更掀起了擴產(chǎn)潮。國際玩家基于已確立的市場地位，穩(wěn)步擴充產(chǎn)能，積極“圈地”。而國內(nèi)玩家雖是后來者，但經(jīng)過近

幾年的奮起直追，已然成為該賽道上的一股新勢力，代表廠商如天岳先進(jìn)、天科合達(dá)、爍科晶體、同光股份等正在加速突破技術(shù)攻關(guān)、擴大生產(chǎn)規(guī)模。

國內(nèi)領(lǐng)頭羊天岳先進(jìn)的半絕緣SiC襯底技術(shù)位居國內(nèi)第一，世界第三。目前，其在上海臨港的SiC襯底項目現(xiàn)已封頂，全部達(dá)產(chǎn)后將新增6英寸導(dǎo)電型SiC襯底產(chǎn)能約30萬片/年，預(yù)計今年第三季度實現(xiàn)首批量產(chǎn)。產(chǎn)品方面，天岳先進(jìn)的6英寸SiC導(dǎo)電型襯底已送樣國內(nèi)外多家知名客戶，未來產(chǎn)銷量將持續(xù)增加。

天科合達(dá)作為國內(nèi)首批成功研制6英寸SiC襯底并掌握相關(guān)技術(shù)的企業(yè)之一，也在積極推進(jìn)該技術(shù)的產(chǎn)業(yè)化。該公司近10億元的第三代半導(dǎo)體SiC襯底產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)項目擬建設(shè)一條400臺/套SiC單晶生長爐及配套切、磨、拋加工設(shè)備的SiC襯底生產(chǎn)線，建設(shè)完成后將形成12萬片6英寸SiC襯底的年產(chǎn)能。

同光股份背靠中科院半導(dǎo)體所，也已在6英寸N型SiC襯底上取得關(guān)鍵工程化技術(shù)突破，達(dá)到車規(guī)級功率半導(dǎo)體芯片的應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)。該公司在河北投資10億元建設(shè)的第三代半導(dǎo)體項目也已于去年9月正式投產(chǎn)，預(yù)計2022年4月實現(xiàn)滿產(chǎn)運行，屆時可實現(xiàn)年產(chǎn)10萬片直徑4-6英寸SiC單晶襯底。未來，同光股份還規(guī)劃建設(shè)2000臺SiC晶體生長爐生長基地和加工基地，預(yù)計SiC單晶襯底年產(chǎn)能將可達(dá)60萬片。

爍科晶體是電科材料的下屬公司，掌握著SiC導(dǎo)電型及半絕緣型襯底關(guān)鍵技術(shù)和工藝，其4英寸高純半絕緣SiC襯底已實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化，月產(chǎn)能可達(dá)8000片，且在國內(nèi)市場占有率超過50%，而6英寸高純半絕緣SiC襯底也已實現(xiàn)小批量供應(yīng)。

 從主要廠商在技術(shù)、產(chǎn)品、產(chǎn)能上的進(jìn)展可以發(fā)現(xiàn)，國產(chǎn)6英寸SiC襯底產(chǎn)業(yè)的發(fā)展已啟動了“快進(jìn)”模式。除了上述廠商，相信未來將會出現(xiàn)更多像天成半導(dǎo)體一樣的“黑馬”出現(xiàn)，共同推動SiC襯底關(guān)鍵技術(shù)的國產(chǎn)化替代，并逐步提升在全球市場的影響力。

結(jié)語

國內(nèi)SiC襯底企業(yè)前景可期毋庸置疑，但同樣不可否認(rèn)的是，國內(nèi)廠商與國際廠商之間仍存在技術(shù)和規(guī)模之差，例如襯底的良率問題。良率問題直接與成本掛鉤，最終影響產(chǎn)品的規(guī)?；瘧?yīng)用進(jìn)程，而目前國產(chǎn)SiC襯底整體良率水平尚未達(dá)到理想的水平，國產(chǎn)化替代任重道遠(yuǎn)。但無論如何，憑借著持之以恒的決心及腳踏實地的拼搏，國內(nèi)企業(yè)“彎道超車”的機會仍值得期待。

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